外加电场下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长

• 作者: 丁学成 张晓龙 王英龙 秦爱丽 邓泽超
• 来源期刊: 河北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光烧蚀 电场 纳米硅晶粒 成核生长动力学
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 17-20,26
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2015.01.004

摘要

采用脉冲激光烧蚀技术,在引入垂直于烧蚀羽辉轴线外加直流电场的前后,分别在1,3,5 Pa的室温氩气环境下沉积制备了一系列纳米硅晶薄膜,其中衬底与羽辉轴线平行.扫描电子显微镜(SEM)的检测结果表明,在同一直流电压下制备的纳米Si晶粒平均尺寸和面密度均随气体压强的增加而增大.保持气压不变,引入电场后所制备的纳米Si晶粒平均尺寸相对于无外加电场时增大,而面密度减小.结合纳米晶粒气相成核生长动力学,对实验结果进行了定性分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	48	123	6.0	8.0
2	丁学成	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	44	89	5.0	7.0
3	王英龙	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	96	301	9.0	12.0
4	秦爱丽	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	5	1	1.0	1.0
5	张晓龙	河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室	2	10	1.0	2.0