高功率半导体开关器件DSRD的研究进展

• 作者: 刘英坤 吴佳霖
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率半导体开关器件 漂移阶跃恢复二极管(DSRD) 超宽带 脉冲技术 等离子体波
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 211-215,250
• 分类号: TN313.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.04.002

摘要

高功率半导体开关器件是一类基于等离子体波理论的全固态、高压、快速打开或者切断电流的开关器件,具有体积小、可靠性高、寿命长、脉冲重复频率高和输出波形稳定等优点,在脉冲开关电路应用中有着独特的优势.简要介绍了超宽带脉冲技术及高功率半导体开关器件的概念,比较了一些常见开关器件与高功率半导体开关器件的差异,主要阐述了自20世纪80年代以来脉冲发生器中开关器件的发展过程,重点介绍了最重要的一种高功率半导体开关器件,即Si基漂移阶跃恢复二极管(DSRD)在国内外的发展历程及其在脉冲技术中的应用.随着新型半导体材料及半导体技术的发展,展望了未来DSRD的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
2	吴佳霖	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	6	1.0	1.0