一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器

• 作者: 何洪涛 杜少博 杨志 王伟忠 胡立业
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 微电子机械系统(MEMS) 压力传感器 高温 ANSYS软件
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 233-239,255
• 分类号: TP212|TH703
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.04.006

摘要

提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器.分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径,根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡,开发了压阻式SiC高温压力传感器.通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计,解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点,最终加工形成SiC高温压力传感器芯片.经过高温带电测试,加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号,传感器非线性指标达到1.054％,芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V,证明了整套技术的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何洪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	53	4.0	7.0
2	王伟忠	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	32	2.0	4.0
3	杜少博	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	25	2.0	2.0
4	胡立业	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	23	1.0	1.0
5	杨志		9	50	4.0	7.0