α-四噻吩薄膜的生长及性能研究

• 作者: 孙丽晶 宋贵才 李一平 王丽娟 谢强 邹凤君 都昊 闫闯
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: α-四噻吩 薄膜生长 分子取向 电性能
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1445-1451
• 页数: 7页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153612.1445

摘要

利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）研究了在氧化硅衬底上生长的α-四噻吩（α-4T）薄膜的表面形貌及分子取向。在低温下,获得了大尺寸、高有序的α-4T薄膜,为横向生长模式。衬底温度35℃以上转为纵向生长模式。晶体结构分析发现,α-4T薄膜属于单斜晶系,分子c-轴垂直基板排列。强的衍射峰和高有序的衍射峰意味着α-4T薄膜具有高的有序性和结晶性。电性能研究发现,提高衬底温度有利于提高薄膜的迁移率,衬底温度为35℃时器件迁移率为3.53×10-2 cm2·V-1·s-1。但衬底温度进一步增加,迁移率反而下降,与原子力分析结果一致。低温退火可以降低器件的亚阈值陡度,从13.27 V·dec-1降低到3.83 V· dec-1,使器件的界面缺陷降低,电性能提高。