双极晶体管的瞬时中子辐射损伤规律试验研究

• 作者: 李俊杰 荣茹 邱东 邹德惠 鲁艺
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 瞬时辐照效应 脉冲中子辐照 直流增益 中子注量
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 090403-1-090403-5
• 页数: 1页
• 分类号: TL81
• 字数: 2386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.090403

摘要

瞬时中子辐射损伤效应是评价电子器件抗辐射能力的一项重要指标。利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点，采用参数一致性好的硅双极晶体管3DK9D 作为位移损伤探测器，通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化，获得了双极晶体管对脉冲中子辐照的响应特性。结果表明，晶体管的瞬时辐射效应是电离损伤和位移损伤共同作用的结果。在相同累计中子注量下，瞬态辐照损伤效应远强于稳态辐照损伤结果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱东	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	21	62	5.0	7.0
2	李俊杰	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	13	28	3.0	4.0
3	鲁艺	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	18	48	4.0	5.0
4	邹德惠	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	2	8	2.0	2.0
5	荣茹	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	17	34	4.0	4.0