氮化镓功率器件小信号模型参数提取算法研究

• 作者: 徐跃杭 徐锐敏 闻彰
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 小信号建模 宽带 参数提取 迭代
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 772-776
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13443/j.cjors.2014090802

摘要

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT)小信号等效电路模型参数提取和优化过程中存在的误差累计问题,基于GaN HEMT 19元件小信号模型,提出了一种扫参与迭代相结合的参数提取算法.该算法在迭代过程中,每次使用比前一次更准确的元件值进行计算,可使结果趋向最优解.通过Mat-lab编程实现后计算结果表明,仿真与实测S参数在0.1～40 GHz频率范围内吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐跃杭	电子科技大学电子工程学院	10	41	4.0	5.0
2	徐锐敏	电子科技大学电子工程学院	30	327	10.0	17.0
3	闻彰	电子科技大学电子工程学院	2	3	1.0	1.0