锗抛光片清洗工艺研究

• 作者: 王云彪 田原 范红娜 郭亚坤 陈晨
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外线/臭氧 清洗技术 雾值 锗抛光片
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 2287字
• 语种: 中文

摘要

采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗.研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果.利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田原	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	24	3.0	4.0
2	范红娜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	2	1.0	1.0
3	王云彪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0
4	陈晨	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0
5	郭亚坤	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	5	1.0	2.0