抗辐照标准单元库验证方法研究

• 作者: 刘永灿 周晓彬 姚进 徐大为 胡永强 陈菊
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐照标准单元 SOI 验证电路
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1789字
• 语种: 中文

摘要

对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例，研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路，对单元库进行验证，单元库功能和性能满足设计要求，抗辐射能力达到500 krad（Si）。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周晓彬		5	3	1.0	1.0
2	陈菊		3	2	1.0	1.0
3	徐大为		5	13	2.0	3.0
4	胡永强		7	14	2.0	3.0
5	刘永灿		2	1	1.0	1.0
6	姚进		3	0	0.0	0.0