SiC材料的NLD快速均匀刻蚀

• 作者: 刘彬 孙元平 张伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁中性环路放电(NLD)等离子体 刻蚀 碳化硅(SiC) 均匀性 SF6+O2
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 54-58,63
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.01.009

摘要

基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等工艺参数变化对NLD设备刻蚀SiC的影响;并研究了不同径向位置的SiC材料在刻蚀过程中的均匀性.结果表明,增加偏置电源功率可以提高刻蚀速率,却降低了金属的抗刻蚀比;增加RF天线功率,能降低偏压以及离子轰击能量,同时刻蚀速率先增大后减小;增加O2和SF6流量比率,刻蚀速率先增大后减小,偏压缓慢增大;刻蚀不同径向位置的SiC材料,均匀性为1.94％,刻蚀速率为738 nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	烟台大学光电信息科学与技术学院	40	377	12.0	18.0
2	孙元平	烟台大学光电信息科学与技术学院	12	30	3.0	4.0
3	刘彬	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	17	111	6.0	10.0