基于MET模型的VDMOSFET建模

• 作者: 刘军 李文钧 林煊 韩山
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS Freescale MET模型 参数提取 Verilog-A
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 986-992
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 5821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.05.005

摘要

研究了VDMOS的独特结构,建立了适合该器件的拓扑结构,电容、源漏二极管和源漏电流方程,提出了一个基于MET模型的VDMOS模型.以Verilog-A语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中,基于Verilog-A的仿真结果可实现与测试数据的准确拟合.应用模型到士兰微电子S-Rin系列第三代高压VDMOS产品的建模中,工作电压涵盖500V、600 V、650 V和800 V,测量和仿真所得I-V,C-V特性曲线对比结果吻合很好,验证了模型具有良好的精度,可以表征VDMOS交直流特性.