无籽晶化学气相法生长ZnO晶体

• 作者: 吴卫东 彭丽萍 曾体贤 王茂州 王雪敏 胡永琴 陈太红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 无籽晶化学气相输运 透过率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1504-1508
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 1892字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相法自发成核的方式生长出φ4mm×5 mm ZnO单晶体.分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面,其回摆曲线半峰宽为18arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的Zn面,位错缺陷密度为103 cm-2量级.晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450～1000 nm内达65％,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 eV.结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高.