微通道板二次电子倍增过程的三维数值模拟

• 作者: 刘慎业 曹柱荣 王强强 董建军 袁铮 邓克立 邓博 邓才波 陈韬
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 微通道板 二次电子 数值模拟 蒙特卡罗方法 渡越时间弥散
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 190-195
• 页数: 6页
• 分类号: TN144.1
• 字数: 2831字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.124005

摘要

在CST Particle Studio环境下建立了长径比为40的铅玻璃MCP的三维结构,将有限积分法与蒙特卡罗方法相结合,模拟了直流和高斯脉冲偏置下微通道内二次电子倍增过程,得到了通道轴向二次电子云密度的动态分布曲线.结果显示,二次电子云在通道轴向成高斯分布;在直流偏置下电子云在漂移过程中密度逐渐增大,分布逐渐变得集中,当电子云漂移至靠近输出电极位置时密度达到最大;在高斯偏置下,脉宽对电子倍增过程有决定性影响,当脉宽大于二次电子平均渡越时间时,倍增过程与直流偏置相似.