介质面刻槽抑制二次电子倍增蒙特卡罗模拟

• 作者: 周前红 周海京 杨温渊 董志伟 董烨
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 高功率微波 介质表面二次电子倍增 表面刻槽 蒙特卡罗模拟
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 399-406
• 页数: 8页
• 分类号: O462.2
• 字数: 4196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132502.0399

摘要

利用蒙特卡罗方法,针对介质表面刻槽抑制二次电子倍增的实验现象,进行了数值模拟研究.给出了二次电子倍增动力学方程、刻槽边界条件、二次电子初始能量与角度分布以及发射率分布关系；讨论了槽深、槽宽对二次电子倍增的抑制效果,以及同一刻槽结构对不同微波场强度和频率的二次电子倍增抑制能力；分析了双边二次电子倍增区域.数值研究结果表明:增加槽深、缩短槽宽可以抑制二次电子倍增；同一刻槽结构,更易于抑制高频场、场强较低或较高下的二次电子倍增；刻槽尺寸的选择还应避开双边二次电子倍增区间.将数值模拟结果与相关实验现象进行了对比,吻合得较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周海京		120	495	10.0	14.0
2	董烨		49	210	9.0	10.0
3	董志伟		111	478	10.0	12.0
4	杨温渊		41	204	9.0	11.0
5	周前红		25	83	5.0	7.0