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摘要:
本文通过编写的二维MATLAB蒙特卡罗程序,对倍增的二次电子在金刚石薄膜中的输运特性进行了初步模拟.研究表明:二次电子的迁移率对温度和外加电场的大小很敏感,在杂质浓度比较低时(〈10~(17)/cm~(-3))受杂质浓度的影响不大.模拟得到的二次电子的饱和速度为1.88×10~7cm/s,无外加电场时的迁移率为3732 cm~2/V·s.同时,通过对二次电子束团在金刚石薄膜中的整体输运特性的模拟,证明了束团电荷密度在应用要求的范围内时,空间电荷力的影响可以忽略不计.
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文献信息
篇名 金刚石薄膜中二次电子输运的蒙特卡罗模拟
来源期刊 物理学报 学科 数学
关键词 金刚石薄膜二次电子倍增光阴极 蒙特卡罗方法 二次电子输运
年,卷(期) 2012,(7) 所属期刊栏目 气体、等离子体和放电物理
研究方向 页码范围 530-535
页数 分类号 O242.2
字数 3551字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黎明 中国工程物理研究院应用电子学研究所 50 146 5.0 9.0
2 许州 中国工程物理研究院应用电子学研究所 22 73 5.0 6.0
3 李鹏 中国工程物理研究院应用电子学研究所 14 26 3.0 4.0
4 杨兴繁 中国工程物理研究院应用电子学研究所 29 102 5.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
金刚石薄膜二次电子倍增光阴极
蒙特卡罗方法
二次电子输运
研究起点
研究来源
研究分支
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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