电流阻挡层结构对垂直发光二极管芯片老化特性之研究

• 作者: 叶雪萍 夏德玲 李佳恩 杨力勋 梁兴华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 垂直结构芯片 老化 漏电 电流阻挡层 反射金属
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.07.014

摘要

发现ICP damage制作电流阻挡层的制程会导致垂直结构LED在老化过程中发生漏电。通过更换反射层的金属及EMMI & SEM分析，发现老化漏电的原因来源于反射金属——Ag的电迁移，迁移通道可能来源于ICP打开穿透位错的封口。在缺陷位错内填入低电迁移率金属并检测。结果表明，填入低电迁移率金属后既解决了老化漏电问题，同时不影响芯片的初始光电特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁兴华		1	0	0.0	0.0
5	夏德玲		1	0	0.0	0.0
6	杨力勋		1	0	0.0	0.0
10	叶雪萍		1	0	0.0	0.0
11	李佳恩		1	0	0.0	0.0