电沉积制备铜铟硫薄膜的研究

• 作者: 李丽波 李琦 杨秀春 王文涛 王珩 田海燕 谢菁琛
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 关键词: 铜铟硫薄膜 电沉积 结构 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 1374-1378
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用电沉积的方法制备铜铟硫(CuInS2,CIS2)薄膜,紫外可见光谱仪测试结果表明电沉积制备的CIS2薄膜的禁带宽度为1.5 eV.X射线光电子能谱(XPS)分析表明,薄膜中的铜、铟、硫元素的价态分别为+1,+3和-2.采用线性伏安扫描测试了薄膜的光电性质,在黑暗和光照的条件下,I-V曲线斜率变化率为0.6×10-3.运用DMol3和CASTEP模块计算了电沉积制备的铜铟硫薄膜的禁带宽度,其数值为1.5 eV.通过Materials Studio建立了电沉积制备出的铜铟硫薄膜的结构和XRD模拟谱图,与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨秀春		19	144	5.0	11.0
2	李丽波		27	68	5.0	8.0
3	王珩		23	73	5.0	6.0
4	田海燕		16	25	3.0	4.0
5	谢菁琛		4	22	3.0	4.0
6	李琦		2	0	0.0	0.0
7	王文涛		2	1	1.0	1.0