IDT推出采用KZ恒阻抗技术的单极双掷RF开关改进RF开关性能

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 低插入损耗 IDT KZ RF CATV 吸收式 首款 隔离度 线性度 切换性能
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（6）
• 页码范围: 29-30
• 页数: 2页
• 分类号: TM564

摘要

<正>IDT公司的F2923在开关切换时能够在所有端口提供恒定阻抗,同时不影响隔离度、线性度或插入损耗IDT公司推出业界首款采用正在申请专利的KZ恒阻抗技术的单极双掷(SPDT)RF开关产品,IDT F2923是一款低插入损耗单极双掷吸收式(absorptive)RF开关,设计用于包括基站(2G,3G,4G,5G)、无线回程、CATV和便携式