SiC高温压力传感器电容芯片设计与仿真

• 作者: 喻兰芳 李赛男 李颖 梁庭 熊继军
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 高温压力传感器 电容芯片 Ansys有限元分析软件 灵敏度 频响
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 7-9,42
• 页数: 4页
• 分类号: TN212
• 字数: 1558字
• 语种: 中文

摘要

MEMS压力传感器的研制已相当成熟,但在高温领域却遇到了许多问题,为解决高温环境下压力测量的问题,文中介绍了一种新型SiC高温压力传感器电容芯片的设计方案.应用Ansys有限元分析软件进行热-结构耦合场仿真分析,常温下电容芯片的灵敏度为1.3 pF/bar(1 bar=100 kPa),300℃、500℃、700℃时灵敏度分别为1.4 pF/bar、1.54 pF/bar、1.74 pF/bar,表明这种结构在高温下仍具有较高的灵敏度,同时对结构进行模态仿真,由模态分析结果知,一阶频率为245 930 Hz,可知该结构具有很高的频响.