抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

• 作者: 庞锦标 彭昌文 李程峰 杨建 谢强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 熔断器 抑弧层 抑弧性能 过流保护 SMD 多孔材料
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 89-91
• 页数: 3页
• 分类号: TM212
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.11.022

摘要

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上，研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明：熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关，多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭，对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内，电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 MΩ，能达到较好的切断电流的目的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李程峰		5	6	2.0	2.0
2	庞锦标		9	11	2.0	2.0
3	谢强		4	14	2.0	3.0
4	彭昌文		6	6	1.0	2.0
5	杨建		1	1	1.0	1.0