字线脉冲控制解决异步双端口SRAM中的写干扰

• 作者: 杨琼华 蒋江
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 双端口SRAM 写干扰 字线脉冲控制 阈值电压波动
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 90-93
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

为了避免双端口SRAM中由写干扰造成的数据写入困难,利用写干扰的时钟偏移相关性提出了一种新的字线脉冲控制技术,确定了写干扰下成功写入数据所需的最小写字线脉宽,并设计了时钟沿检测电路来解决写操作造成的写干扰.采用TSN28HPM工艺,抽取RC寄生参数后进行了后端仿真,结果表明所提方案可行有效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋江	上海交通大学微电子学院	5	12	2.0	3.0
2	杨琼华	上海交通大学微电子学院	1	0	0.0	0.0