SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向

• 作者: 史谦东 张子亮 邓隐北 郭学梅
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率芯片 SIC 高绝缘击穿电场强度
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN303

摘要

SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。