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摘要:
针对CdSiP2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP2晶体的新工艺.运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP2晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现,采用石英坩埚生长的CdSiP2晶体表面主要组分元素为33.31%的Si和65.63%的O,晶体表面Si 2p的结合能为103.2 eV,与文献中SiO2的Si 2p结合能一致.进一步的分析表明,高温CdSiP2熔体离解产物与石英材料反应生成SiO2界面层是导致晶体严重粘连,甚至开裂成碎块的重要原因;采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连,生长的CdSiP2晶体完整较好,表面层各组分元素含量接近CdSiP2理论化学配比1:1:2,质量较高.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 CdSiP2 晶体生长 石英坩埚 氮化硼坩埚
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 3617-3621
页数 5页 分类号 O782
字数 2906字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱世富 四川大学材料科学系 151 840 14.0 20.0
2 赵北君 四川大学材料科学系 132 744 14.0 19.0
3 陈宝军 四川大学材料科学系 56 160 7.0 9.0
4 林莉 四川大学材料科学系 11 98 7.0 9.0
5 何知宇 四川大学材料科学系 69 221 8.0 11.0
6 孙宁 四川大学材料科学系 10 16 2.0 4.0
7 吴敬尧 四川大学材料科学系 3 1 1.0 1.0
8 黄巍 四川大学材料科学系 20 80 4.0 8.0
9 王黎罡 四川大学材料科学系 1 1 1.0 1.0
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
CdSiP2
晶体生长
石英坩埚
氮化硼坩埚
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导