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坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究
坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究
作者:
何知宇
吴敬尧
孙宁
朱世富
林莉
王黎罡
赵北君
陈宝军
黄巍
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdSiP2
晶体生长
石英坩埚
氮化硼坩埚
摘要:
针对CdSiP2晶体生长过程中,晶体表面与石英坩埚内壁严重粘连甚至开裂的问题,研究了柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚生长CdSiP2晶体的新工艺.运用X射线能量色散谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种坩埚材料生长的CdSiP2晶体表面元素成分和化学状态进行测试发现,采用石英坩埚生长的CdSiP2晶体表面主要组分元素为33.31%的Si和65.63%的O,晶体表面Si 2p的结合能为103.2 eV,与文献中SiO2的Si 2p结合能一致.进一步的分析表明,高温CdSiP2熔体离解产物与石英材料反应生成SiO2界面层是导致晶体严重粘连,甚至开裂成碎块的重要原因;采用柔性氮化硼(PBN)内衬坩埚能有效解决晶体与器壁的粘连,生长的CdSiP2晶体完整较好,表面层各组分元素含量接近CdSiP2理论化学配比1:1:2,质量较高.
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文献信息
篇名
坩埚材料对生长CdSiP2晶体表面的影响研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
CdSiP2
晶体生长
石英坩埚
氮化硼坩埚
年,卷(期)
2015,(12)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
3617-3621
页数
5页
分类号
O782
字数
2906字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
朱世富
四川大学材料科学系
151
840
14.0
20.0
2
赵北君
四川大学材料科学系
132
744
14.0
19.0
3
陈宝军
四川大学材料科学系
56
160
7.0
9.0
4
林莉
四川大学材料科学系
11
98
7.0
9.0
5
何知宇
四川大学材料科学系
69
221
8.0
11.0
6
孙宁
四川大学材料科学系
10
16
2.0
4.0
7
吴敬尧
四川大学材料科学系
3
1
1.0
1.0
8
黄巍
四川大学材料科学系
20
80
4.0
8.0
9
王黎罡
四川大学材料科学系
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1
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2015(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
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节点文献
CdSiP2
晶体生长
石英坩埚
氮化硼坩埚
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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