CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

• 作者: 何知宇 吴圣灵 孙宁 朱世富 杨辉 王小元 赵北君 陈宝军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 改进布里奇曼法 CdSiP2晶体 逐层减压坩埚
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 492-496
• 页数: 5页
• 分类号: O782|O785
• 字数: 1480字
• 语种: 中文

摘要

对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达φ14 mm×32mm的CdSiP2单晶体.X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500～7500 cm-1波数范围的红外透过率达55％,吸收系数为0.10 ～0.17 cm-1,电阻率1.3×107 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	杨辉	四川大学材料科学系	16	50	5.0	6.0
6	孙宁	四川大学材料科学系	10	16	2.0	4.0
7	吴圣灵	四川大学材料科学系	2	8	1.0	2.0
8	王小元	四川大学材料科学系	4	22	3.0	4.0