氨水浓度对化学水浴法制备CdS缓冲层及CZTSe电池性能的影响

• 作者: 孙顶 张力 张德坤 张晓丹 王奉友 葛阳 许盛之 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学水浴法 氨水浓度 CZTSe太阳电池
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3401-3405,3410
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3766字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了化学水浴法沉积CdS薄膜中氨水浓度对薄膜材料特性的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计(UV-Vis)等测试手段对制备的CdS薄膜的结构和光学特性进行了分析.结果表明:不同的氨水浓度条件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面择优取向生长.随着氨水浓度增加时CdS薄膜表面逐渐变得致密光滑,CdS薄膜的透过率增强和带隙变宽.在氨水浓度为0.10 mol/L时制备出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面紧凑致密无针孔,颗粒大小均匀,将其应用于CZTSe薄膜太阳电池中的缓冲层材料,得到光电转化效率为3.12％的CZTSe薄膜太阳电池(该电池未经任何后硒化处理工艺).