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水浴温度对CdS薄膜性能的影响
水浴温度对CdS薄膜性能的影响
作者:
余新平
张亚飞
张宁
曹慧
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdS缓冲层
致密性
透过率
短路电流
转化效率
摘要:
采用化学水浴法,以不同水浴温度在玻璃衬底上沉积CdS薄膜并制备CIGS薄膜太阳能电池,研究了水浴温度对CdS薄膜和CIGS太阳能电池性能的影响.结果表明:水浴温度对CdS薄膜的致密性、沉积速率、透过率和成分比率都有影响.在65-80℃之间制备的CdS薄膜均匀致密且透过率高,可作为CIGS太阳能电池的缓冲层;另外,CdS缓冲层的厚度对CIGS电池的性能影响显著,较薄的CdS缓冲层能够增加CIGS电池在400-500 nm波段对光线的吸收,提高CIGS电池的短路电流.
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篇名
水浴温度对CdS薄膜性能的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
CdS缓冲层
致密性
透过率
短路电流
转化效率
年,卷(期)
2015,(11)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
3365-3369
页数
5页
分类号
O484
字数
3145字
语种
中文
DOI
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张宁
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致密性
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短路电流
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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