阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件?

• 作者: 李春来 杨银堂 段宝兴 袁嵩 马剑冲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 折叠硅 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067304-1-067304-6
• 页数: 1页
• 字数: 3587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.067304

摘要

为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件,提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金属-氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS, SOFLDMOS)新结构.这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周期分布的折叠硅表面,利用阶梯氧化层的电场调制效应,通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电场分布均匀,提高了器件的耐压范围,解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击穿电压受限的问题.通过三维仿真软件ISE分析获得, SOFLDMOS 结构打破了硅的极限关系,充分利用了电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应,漏极饱和电流比一般LDMOS提高3.4倍左右,可以在62 V左右的反向击穿电压条件下,获得0.74 m?·cm2超低的比导通电阻,远低于传统LDMOS相同击穿电压下2.0 m?·cm2比导通电阻,为实现低压功率集成电路对低功耗横向功率器件的要求提供了一种可选的方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	52	4.0	5.0
3	李春来	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0
4	马剑冲	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0
5	袁嵩	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	18	3.0	4.0