石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析

• 作者: 孔凡迪 杨博 牟潇野 白一鸣 陈吉堃 陈诺夫 陶泉丽
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨 籽晶层 择优取向 退火
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 4070-4073
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12|TM914.4
• 字数: 2871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.014

摘要

以石墨片为衬底，利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层，退火处理后用 CVD 制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明，在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向，这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明，石墨片上多晶硅外延层生长良好，说明石墨片作为廉价衬底之一，有望投入工业化生产，以降低太阳能电池的制作成本。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨博	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	12	62	3.0	7.0
2	陈诺夫	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	22	33	3.0	4.0
3	陶泉丽	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	10	13	2.0	3.0
4	白一鸣	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	20	35	3.0	4.0
5	孔凡迪	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
6	牟潇野	华北电力大学新能源电力国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
7	陈吉堃		1	2	1.0	1.0