基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源

• 作者: 王卫东 陈培腾 黎官华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准(BGR,Bandgap Reference) 亚阈区 低温度系数
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 526-530
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2016.03.006

摘要

利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准。电路基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计，仿真结果表明：在5 V电源电压下，基准输出电压为1.258 V；在-40℃~125℃的温度范围内，温度系数为1.24×10-6/℃；低频时电源抑制比PSRR为-68 dB；电源电压在3.5 V~6.5 V范围内工作，线性调整率为0.4 mV/V。适用于高精度带隙基准源。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王卫东	桂林电子科技大学信息与通信学院	104	218	6.0	7.0
2	黎官华	桂林电子科技大学信息与通信学院	4	9	2.0	2.0
3	陈培腾	桂林电子科技大学信息与通信学院	3	8	2.0	2.0