MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展

• 作者: 刘英明 张北超 荆学珍 谢超英 黄本成
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准硅化物 金属/半导体接触 综述 MIS结构 费米能级钉扎 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 12-17,22
• 页数: 7页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 5583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.01.003

摘要

介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法，在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor, MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势，综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法，总结了MIS结构实验研究的最新进展，讨论了MIS结构的局限性与不足之处，并展望了MIS结构在未来的发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢超英	上海交通大学材料科学与工程学院	17	180	8.0	13.0
2	黄本成	上海交通大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
6	刘英明	中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心	1	0	0.0	0.0
7	荆学珍	中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心	1	0	0.0	0.0
8	张北超	中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心	1	0	0.0	0.0