引信典型电子部件长储性能加速退化试验方法

• 作者: 吴英伟 赵铁山 郑波 齐杏林
• 来源期刊: 探测与控制学报
• 关键词: 典型 电子部件 长期储存 性能退化
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TJ430
• 语种: 中文

摘要

针对目前引信电子部件储存性能退化或失效原因研究较少、储存失效原因尚不明确的问题,提出了引信典型电子部件长储性能加速退化试验方法.该方法通过对两个已经储存10年的引信典型电子部件样本开展加速退化试验,定位了易发生退化或失效的元器件.失效原因分析表明,随着时间推移,电子部件零点漂移退化趋势越发明显,而其他参数则相对稳定,电阻元件本身白噪声可能导致电阻元件性能退化.同时,长储导致键合丝断开可能会造成运算放大器性能退化,影响引信可靠性.确定了长储后的引信电子部件在进行检测时应重点关注电阻元件和运算放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑波		8	58	4.0	7.0
2	齐杏林		18	39	3.0	5.0
3	赵铁山		3	2	1.0	1.0
4	吴英伟		1	0	0.0	0.0