基于半导体开关和LTD技术的高重频快沿高压脉冲源

• 作者: 李俊娜 杨天 杨实 汤俊萍 谢霖燊 贾伟 郭帆 陈志强
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 直线变压器驱动源 高重频 窄脉冲 小型化 模块化
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 113-117
• 页数: 5页
• 分类号: TM89
• 字数: 3848字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.055002

摘要

采用快开通功率MOSFET,通过优化驱动电路、磁芯参数以及耦合结构,设计了基于半导体开关和直线变压器驱动源(LTD)技术的高重频快沿高压脉冲源.该脉冲源由四级LTD串联而成,可实现单次脉冲和最高频率2 MHz脉冲串输出.脉冲最高幅值约2.3 kV,上升沿约7 ns,脉宽约90 ns,下降沿约20 ns,输出电压效率约95％.该脉冲源结构紧凑,输出脉冲稳定,实现了模块化设计,可作为重频电磁脉冲模拟源使用.