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摘要:
提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构(DGS),并对其性能进行了分析.将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器.传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的阻带衰减响应,得到陡峭的阻带衰减和良好的阻带宽度.模拟仿真和实物测试表明,该滤波器的3dB截止频率为1.8 GHz,插损小于1dB,通带内S11均低于-20 dB,阻带在-20 dB以下的频段为2.92~19.59 GHz.与传统DGS低通滤波器相比,其尺寸减少了32%,实现了低通滤波器的宽阻带和小型化.
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文献信息
篇名 一种基于缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 低通滤波器 缺陷地结构(DGS) 宽阻带 小型化 微带线 单极点
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 39-42
页数 4页 分类号 TN713
字数 2082字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄文 重庆邮电大学光电工程学院 16 11 2.0 2.0
2 王斌 重庆邮电大学光电工程学院 40 69 4.0 6.0
3 郭佳 重庆邮电大学光电工程学院 1 1 1.0 1.0
4 荆麟 重庆邮电大学光电工程学院 2 6 1.0 2.0
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缺陷地结构(DGS)
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电子元件与材料
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62-36
1982
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