SiC 晶片加工技术现状与趋势

• 作者: 何超 徐伟 李斌 王英民 郝唯佑
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶片 加工技术 平整度 粗糙度
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 1-6,54
• 页数: 7页
• 分类号: TM23
• 字数: 4052字
• 语种: 中文

摘要

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状，分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势，并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国电子科技集团公司第二研究所	89	251	10.0	12.0
2	徐伟	中国电子科技集团公司第二研究所	50	146	6.0	9.0
3	王英民	中国电子科技集团公司第二研究所	18	53	5.0	6.0
4	何超	中国电子科技集团公司第二研究所	13	17	2.0	3.0
5	郝唯佑	中国电子科技集团公司第二研究所	1	6	1.0	1.0