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摘要:
为了对 TFT((Thin Film Transistor)光刻 DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善,分析了光刻 DICD 存在差异性的原因,并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先,根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大,DICD 最小(DICDmin )原则,提出了调整光刻平面,使其与系统最佳焦平面趋势一致,可减小 DICD 差异性。接着,计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的 DICD 差值(DICD-DICDmin ),并通过结合光刻区域台板平坦度,判断 DICD-DICDmin 各差值的正负性。然后,采用最小二乘法对光刻区域 DICD-DICDmin 进行平面方程拟合,该平面即为光刻趋势平面,并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后,以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程,并对光刻区域台板高度进行调整,从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明:该方法连续实验3次,DICD 均一性可改善30%以上。
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文献信息
篇名 TFT 光刻 DICD 均一性改善优化
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 DICD 最佳焦平面 平坦度 均一性 最小二乘法
年,卷(期) 2016,(10) 所属期刊栏目 ?材料与器件?
研究方向 页码范围 929-935
页数 7页 分类号 TN305.7
字数 2847字 语种 中文
DOI 10.3788/YJYXS20163110.0929
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张玉虎 4 9 2.0 3.0
2 岳浩 1 6 1.0 1.0
3 王军帽 1 6 1.0 1.0
4 李亚文 4 9 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
DICD
最佳焦平面
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均一性
最小二乘法
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液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
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