光刻胶段差对光刻图形的影响与改善

• 作者: 刘小波 张旭 张玉虎 李亚文 马小辉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 段差 光刻胶 光刻 光刻面 光强
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 653-660
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20183308.0653

摘要

TFT光刻制程中,光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上,各区域的光刻程度不同,严重影响着光刻图形的质量.文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析,根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化特点,推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时,光刻系统中光刻平面所应处于的位置,同时结合当前光刻系统焦平面的位置,计算出光刻平面的调整量,并以该调整量对当前光刻平面进行调整.结果表明:对于极限分辨率为2.41 μm的投影光刻机,要使厚0.52 μm的光刻胶段差内光强变化量为零,光刻平面调整量为9.434 42 μm,且对光刻平面调整后10μm后,在DICD(Develop Inspection Critical Dimension)变化量较小的情况下,可显著改善沟道长为2.5 μm的GOA(gate drive on array)区域的光刻胶残留.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉虎		4	9	2.0	3.0
2	李亚文		4	9	2.0	3.0
3	马小辉		2	3	1.0	1.0
4	刘小波		1	3	1.0	1.0
5	张旭		1	3	1.0	1.0