各膜层对光刻胶灰化的影响

• 作者: 张光明 白金超 袁剑峰 邵喜斌 郑云友 郭总杰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 四次光刻 光刻胶 灰化
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 616-620
• 页数: 5页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153004.0616

摘要

研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1％,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白金超		4	9	2.0	2.0
2	郭总杰		7	18	2.0	3.0
3	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
4	邵喜斌		13	27	3.0	4.0
5	郑云友		6	25	4.0	4.0
6	张光明		2	3	1.0	1.0