薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

• 作者: 刘翔 崔祥彦 王海军 王章涛 邓振波
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 183-187
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 1866字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012

摘要

光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘翔		3	13	3.0	3.0
5	王章涛		5	25	3.0	5.0
6	崔祥彦		3	20	3.0	3.0
7	邓振波		4	21	3.0	4.0
8	王海军		1	4	1.0	1.0