光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响

• 作者: 冯家海 刘丹 方亮 王百强 秦刚 蔡晓锐 陈启超 陈昊 高朋朋 黄晟
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻胶 锥角 显影后关键尺寸 光刻工艺 蒙特卡罗计算
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 146-154
• 页数: 9页
• 分类号: TN141.9|TP394.1
• 字数: 3524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193402.0146

摘要

光刻胶经过曝光、显影后的锥角(Taper)和关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)是光刻工艺的重要参数.明确影响锥角和DICD的工艺参数,进而控制锥角和DICD,这对工艺制程至关重要.本文结合光刻制程,探究了光刻胶厚度、曝光剂量、Z值、显影时间对锥角和DICD的影响,并结合蒙特卡罗算法对显影制程进行评估.实验结果表明:光刻胶厚度每增加1μm,DICD增加约2.6μm.同时,厚度增加会导致光刻胶顶部的锥角逐渐由锐角向钝角演变.曝光剂量每增加10 mJ/s,DICD则减小约0.8μm,锥角则呈阈值跳跃式上升趋势.基板在最佳焦平面曝光,DICD和锥角均一性最好.显影时间每增加10 s,DICD下降约0.3 m,锥角则增加约1.7°.最终,DICD和锥角呈负相关关系,可以通过调节光刻工艺参数对锥角和DICD进行控制.