AlN含量对SiC基复相陶瓷性能的影响

• 作者: 丘泰 冯永宝 李晓云 李鑫 杨建 杨群
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氮化铝 热压烧结 致密性 导热性能
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 页码范围: 2596-2599,2607
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2872字
• 语种: 中文

摘要

以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃下制备了SiC基复相陶瓷.研究了不同AlN含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:不添加AlN时,试样致密性最差,气孔率和体积密度分别为4.71％和2.43 g/cm3.AlN含量升高至5wt％时,试样致密性有所提高.AlN含量进一步升高至10wt％～20wt％,试样完全致密,气孔率和体积密度分别保持在0.20％和3.31 g/cm3.在AlN含量为10wt％时,样品具有最高的热导率51.62 W·m-1·K-1,同时弯曲强度和断裂韧性达到顶点,分别为731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李鑫	南京工业大学材料科学与工程学院	22	126	5.0	11.0
2	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
3	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0
4	杨建	南京工业大学材料科学与工程学院	70	425	10.0	15.0
5	冯永宝	南京工业大学材料科学与工程学院	39	379	10.0	17.0
6	杨群	南京工业大学材料科学与工程学院	4	1	1.0	1.0