VO2薄膜表面氧缺陷的修复：F4TCNQ分子吸附反应?

• 作者: 刘凌云 张文华 徐法强 王凯
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二氧化钒薄膜 氧缺陷 F4TCNQ 同步辐射
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 088101-1-088101-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.65.088101

摘要

VO2表面氧缺陷的存在对VO2材料具有显著的电子掺杂效应,极大地影响材料的本征电子结构和相变性质.通过2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌(F4TCNQ)分子表面吸附反应,可以有效消除表面氧缺陷及其电子掺杂效应.利用同步辐射光电子能谱和X射线吸收谱原位研究了修复过程中电子结构的变化以及界面的化学反应,发现这种方式使得VO2薄膜样品氩刻后得到的V3+失去电子成功地被氧化成原先的V4+,同时F4TCNQ分子吸附引起电子由衬底向分子层转移,界面形成带负电荷的分子离子物种.受电化学性质的制约, F4 TCNQ分子吸附反应修复氧缺陷较氧气氛退火更安全有效,不会引起表面过度氧化形成V2 O5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐法强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	41	370	7.0	18.0
2	王凯	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	114	1762	21.0	40.0
3	张文华	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	28	378	8.0	19.0
4	刘凌云	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	3	2	1.0	1.0