VO2薄膜的制备工艺研究

• 作者: 刘志宇 卫红 唐振方 曹一鸣 王小辉
• 来源期刊: 中国科技成果
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 VOz薄膜 制备工艺
• 年，卷（期）: 2009,（15）
• 所属期刊栏目: 创新交流
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TQ32
• 字数: 1986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3772/j.issn.1009-5659.2009.15.020

摘要

采用射频磁控溅射沉积方法,在加热衬底上溅射制备高价态的五氧化二钒(V2O5)薄膜,再结合气氛退火工艺制备VO2薄膜.系统分析了不同溅射工艺参数和退火工艺参数对VO2薄膜结构与光电性能的影响,得到制备VO2薄膜的最佳工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小辉		12	23	3.0	4.0
2	卫红		10	32	3.0	5.0
3	曹一鸣		14	16	2.0	3.0
4	刘志宇		7	13	2.0	3.0
5	唐振方		1	1	1.0	1.0