关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究

• 作者: 何捷 刘中华 王静
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: VO2(A)型薄膜 VO2(B)型薄膜 四方晶系VO2的薄膜 退火温度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 365-370
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 2417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2006.02.025

摘要

采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系档VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.