单层石墨烯场效应晶体管制备及低温导电特性

• 作者: 姜久兴 曹兴宇 王振华 王纪钰
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 化学气相沉积 单层石墨烯 电子迁移率 场效应晶体管 P型掺杂效应
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积法(CVD)制备单层石墨烯,将其转移到300 nm厚的SiO2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO2/Si背栅石墨烯场效应晶体管,对其进行低温导电特性的测试.结果表明,背栅石墨烯场效应晶体管呈双极导电性,并表现出P型导电特性.室温下器件的电子迁移率为3478 cm2/V.s,开关比(on/off)为1.88.在低温下器件的电子迁移率降至2913 cm2/V.s,开关比上升到2.53,狄拉克点左移,P型掺杂效应减弱,温度对器件起到调制作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜久兴		18	23	3.0	4.0
2	王振华		14	61	4.0	7.0
3	王纪钰		3	0	0.0	0.0
4	曹兴宇		1	0	0.0	0.0