分子动力学模拟4H-SiC辐照下缺陷形成机理

• 作者: 何涛 何红宇 周媛 朱卫华 王新林 陈志勇
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 分子动力学 级联碰撞 缺陷
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 45-51
• 页数: 7页
• 分类号: O474|O571.1
• 字数: 3333字
• 语种: 中文

摘要

运用分子动力学模拟的方法,采用LAMMPS程序模拟了六方晶格结构的4H-SiC材料辐照下级联碰撞过程.先建立4H-SiC晶体结构模型,再模拟了不同能量的初始碰撞原子(PKA)级联碰撞产生点缺陷的演化.模拟结果表明,总的点缺陷包括空位缺陷、间隙原子和反位缺陷,并以空位缺陷和间隙原子为主,给出空位缺陷与间隙原子的空间分布图;级联碰撞产生的空位缺陷数量与PKA能量成线性关系;空位缺陷与间隙原子的空间分布,特别是空位缺陷与间隙原子聚集区域,与PKA能量有密切关系.上述结果为分析4H-SiC基材电子器件在辐照环境下电学性质变化提供理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新林	南华大学电气工程学院	42	354	11.0	17.0
5	何涛	南华大学电气工程学院	14	35	4.0	4.0
6	朱卫华	南华大学电气工程学院	83	480	13.0	18.0
7	陈志勇	南华大学电气工程学院	32	156	7.0	11.0
8	周媛	南华大学电气工程学院	5	12	2.0	3.0
9	何红宇	南华大学电气工程学院	3	4	2.0	2.0