温度对IGBT器件功耗的影响研究

• 作者: 吴会利 王瑞萱
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 尾流特性 功耗分析 功耗计算 热阻模型
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.006

摘要

IGBT是一种综合MOSFET和GTR两种器件优点的功率器件,被广泛应用于电力电子领域.在对这种电力电子器件的研究中,其功耗特性和功率特性同样重要.首先介绍IGBT器件基本的结构特点和工作原理,并对IGBT器件的尾流特性及其功耗组成进行分析和概述.同时结合IGBT的热阻模型,确定温度公式与功耗的关系,在保证其他电学参数相同的情况下,通过使用专门软件对实际情况下IGBT器件的功耗进行模拟仿真,分别在外界环境温度为-55℃、25℃、125℃的条件下研究外界环境温度对于IGBT功耗特性的影响,并通过控制IGBT器件外壳基板的热阻来降低IGBT器件的功耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴会利	中国电子科技集团公司第四十七研究所	6	11	2.0	3.0
2	王瑞萱		1	3	1.0	1.0