As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响

• 作者: 周晓静 徐波 杨新荣 王俊忠 谷云高
• 来源期刊: 西南大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: InAlAs超晶格 InAs纳米结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学与化学
• 页码范围: 115-119
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13718/j.cnki.xdzk.2017.03.018

摘要

利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高辐射效率,从而有利于其在长波长光电器件方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	周晓静	邯郸学院机电学院	10	18	2.0	4.0
3	王俊忠	西南大学物理科学与技术学院	16	13	2.0	3.0
4	杨新荣	邯郸学院机电学院	6	6	2.0	2.0
5	谷云高	邯郸学院机电学院	9	29	2.0	5.0