低残余应力HFCVD硼掺杂金刚石薄膜的制备与图形化研究

• 作者: 孙方宏 王新昶 赵天奇
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 生长气压 碳源浓度 残余应力 图形化悬臂梁
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2017.1.0006

摘要

采用拉曼光谱技术分析了不同生长气压和碳源浓度下,硅基HFCVD硼掺杂金刚石薄膜中的残余应力,并使用光刻和反应离子刻蚀技术加工出多种金刚石薄膜微结构.研究结果表明:利用热丝CVD沉积的硅基金刚石薄膜内存在残余压应力,通过优化生长气压,可以有效降低金刚石薄膜的残余压应力,在生长气压从1.3 kPa增加至6.5 kPa的过程中,晶格缺陷增加,残余压应力减小.碳源浓度的变化对残余应力的影响较小,但对薄膜质量影响较大.采用低残余应力的金刚石薄膜通过光刻和反应离子刻蚀获得了悬臂梁、角加速度计、声学振膜等微结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙方宏	上海交通大学机械与动力工程学院	91	969	17.0	25.0
2	王新昶	上海交通大学机械与动力工程学院	15	54	4.0	7.0
3	赵天奇	上海交通大学机械与动力工程学院	6	13	2.0	3.0