HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法

• 作者: 周松敏 李浩 林春 王溪 翁彬 陈奕宇
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 激光束诱导电流 I-V测试 B+离子注入 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 54-59
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 3795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.011

摘要

报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王溪	中国科学院上海技术物理研究所	27	607	15.0	24.0
5	李浩	中国科学院上海技术物理研究所	64	498	10.0	21.0
9	陈奕宇	中国科学院上海技术物理研究所	2	12	1.0	2.0
13	林春	中国科学院上海技术物理研究所	19	110	7.0	10.0
14	周松敏	中国科学院上海技术物理研究所	5	9	1.0	3.0
15	翁彬	中国科学院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0