4H-SiC材料p型掺杂的电子结构第一性原理研究

• 作者: 张丽丽 张晓旭 张航 彭彩云 王艳辉
• 来源期刊: 伊犁师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 第一性原理 电子结构
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 33-38
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3283字
• 语种: 中文

摘要

应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的共价性减弱,离子性增强,掺杂体系的稳定性下降.