溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用

• 作者: 刘玮 刘芳芳 周志强 孙云 张毅 李晓东 林舒平 范玉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 Zn(O,S)缓冲层 CIGS
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 996-1001
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4250字
• 语种: 中文

摘要

通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中.采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wxAMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究.结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构ZnS (α-ZnS);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-ZnS消失,带隙增加.器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加.